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Q62702P3594
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistor Chip Silicon 860nm 2-Pin T-1 PHOTOTRANSISTOR CHIP SILICON 860NM 2-PIN T-1 |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | Bulk | 标准封装名称 | T-1 |
合规参数
| 欧盟RoHS | Compliant | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 下降时间 | 8000/9000 ns | 额定功率 | 0.165 W |
| 感应角度 | 24 ° | 视角 | Top View |
| 上升时间（典型） | 8000/9000 ns | 晶体管类型 | Phototransistor |
| 供电电压 | 35 V | 峰值波长 | 860 nm |
| 通道数量 | 1 | 元件数量 | 1 |
| 暗电流（最大） | 200 | 暗电流（典型值） | 200 nA |
| 最大额定电流 | 7200/11200 | 最小输入电压 | 35 |
| 最大功耗 | 165 | 集电极电流（Ic）（最大） | 15 mA |
| 集电极截止电流（最大） | 0.015 A | LED触发电流（最大） | 7200/11200 uA |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 8000/9000 | ||
机械参数
| 引脚样式 | Through Hole | 透镜样式 | Domed |
| 透镜尺寸（因值为长宽高，非直径） | 3.1 mm | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | 2T-1 | 冷却的封装 | T-1 |
| 包装数量 | T-1 | 外径 | 4(Max) |
| 位数 | 2 | 外壳尺寸-插件 | 5.2(Max) |
产品信息
| 类型 | Chip | 极性 | NPN |
| 印刷电路板数量 | 2 | ||
环境参数
| 工作温度 | -40C to 100C | ||