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NSV1C300ET4G

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NSV1C300ET4G

制造商
onsemi
描述Transistors Bipolar - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V TRANS PNP 100V 3A 3DPAK ON Semiconductor , PNP 晶体管, 3 A, Vce=100 V, HFE:50, 100 MHz, 3针 DPAK封装 Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR XTSR 3A/100V
分类
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商业参数

零件号别名NSV1C300ET4G-VF01标准包装数量2,500
工厂包装数量2500

合规参数

RoHSRoHS Compliant汽车级AEC-Q101

电气参数

最大功率2.1W晶体管类型PNP
供电电压100V元件数量1
Vce饱和电压(最大)- 0.4 V工作频率100 MHz
过渡频率100MHz增益带宽积100 MHz
平均正向功率33 W最大功耗33 W
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic-0.07 VVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic400mV @ 300mA, 3A
集电极电流(Ic)(最大)3A集电极截止电流(最大)100nA (ICBO)
阳极-阴极电压(Vak)(最大)6 V直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce120 @ 1A, 2V

机械参数

宽度6.22mm高度2.38mm
长度6.73mm包装方式*
安装类型*安装样式SMD/SMT
引脚数3封装形式*
包装数量DPAK尺寸/外形6.73 x 6.22 x 2.38mm
供应商器件封装*

产品信息

系列NSS1C300E功能Y
制造商全称ON Semiconductor配置Single

环境参数

工作温度+150 °C