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NSV1C200LT1G

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NSV1C200LT1G

制造商
onsemi
描述TRANS PNP 100V 3A SOT23-3 Bipolar Transistors - BJT 100V PNP LOW VCE(SAT) TRA
分类
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商业参数

标准包装数量3,000工厂包装数量3000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

最大功率490mW晶体管类型PNP
供电电压100VVce饱和电压(最大)- 950 mV
过渡频率120MHz增益带宽积120 MHz
平均正向功率490 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic- 140 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic250mV @ 200mA, 2A集电极电流(Ic)(最大)2A
集电极截止电流(最大)100nA (ICBO)直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce120 @ 500mA, 2V

机械参数

包装方式*安装类型*
安装样式SMD/SMT封装形式*
供应商器件封装*

产品信息

系列NSS1C200L制造商全称ON Semiconductor
配置Single

环境参数

工作温度- 55 C

文档与媒体

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