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NJVMJD45H11RLG

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NJVMJD45H11RLG

制造商
onsemi
描述Transistors Bipolar - BJT BIP PNP 8A 80V TR Trans GP BJT NPN 80V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TRANS BIP PNP 8A 80V DPAK-4 Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 8A 80V TR
分类
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商业参数

标准包装数量1,800工厂包装数量1800
标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

最大功率1.75W最大频率85(Typ)
晶体管类型PNP供电电压80V
元件数量1最小输入电压80
过渡频率90MHz电源电压(最大)5
最大功耗1750Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1V @ 400mA, 8A
集电极电流(Ic)(最大)8A集电极截止电流(最大)1µA
共模瞬态抗扰度(最小)Automotive直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce60@2A@1V|40@4A@1V

机械参数

包装方式Tape and Reel引脚样式Gull-wing
安装类型Surface Mount封装形式TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
包装数量DPAK位数3
供应商器件封装DPAK-3

产品信息

类型NPN系列MJD45H11
制造商全称ON Semiconductor

环境参数

工作温度150

文档与媒体

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