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NJVMJD31CT4G

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NJVMJD31CT4G

制造商
onsemi
描述BIP DPAK NPN 3A 100V TR Trans GP BJT NPN 100V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R TRANS BIP NPN 3A 100V DPAK-4 Transistors Bipolar - BJT BIP NPN 3A 100V TR TRANSISTOR, NPN, 100V, 3A, TO-252-3 Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 3A 100V TR
分类
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商业参数

其他名称NJVMJD31CT4GOSCT标准包装数量2,500
标准封装名称DPAK

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85412900

电气参数

最大功率1.56W最大频率3(Min)
晶体管类型NPN供电电压100V
元件数量1最小输入电压100
过渡频率3MHz电源电压(最大)5
最大功耗15 W集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic100
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic1.2V @ 375mA, 3A集电极电流(Ic)(最大)3A
集电极截止电流(最大)50µA共模瞬态抗扰度(最小)Automotive
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce25@1A@4V|10@3A@4V

机械参数

重量0.00033包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
安装样式Through Hole引脚数:3
封装形式TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
包装数量DPAK位数3
供应商器件封装DPAK-3

产品信息

类型NPN

环境参数

工作温度- 65 C

文档与媒体

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