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LM358DR2G

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LM358DR2G

制造商
onsemi
描述OP Amp Dual GP ±16V/32V 8-Pin SOIC N T/R IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC LM358DR2G, Dual Operational Amplifier 5 to 28V, 8-Pin SOIC Operational Amplifiers - Op Amps 3-32V Dual Lo PWR Commercial Temp OP Amp Dual GP ?16V/32V 8-Pin SOIC N T/R OP AMP, 32VIN, 1MHZ, 0.6V/US, 8SOIC OpAmpDualLowPower8-PinSOIC ON Semiconductor 双 运算放大器, 5 → 28 V, 8针 SOIC
分类
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商业参数

其他名称LM358DR2GOSCT产品类别Operational Amplifiers - Op Amps
标准包装数量Tape & Reel工厂包装数量2500
标准封装名称SOIC

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (16-Dec-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85423300
抗辐射加固No

电气参数

增益100 dB电源抑制比65 dB
通道数-120dB压摆率0.6 V/µs
输出类型No输入功率Single/Dual
晶体管类型:Low Power共模抑制比、电源抑制比(典型)65 dB
输出电流1.5mA供电电流1.2@5V@0C to 70C mA
供电电压3 V供电类型Single|Dual
通道数量2元件数量2
输出电压45mV输入偏置电流45nA
ADC/DAC 数量:2最小输入电压2mV
增益带宽积1MHz轨到轨工作No
输入逻辑低电平-50nA输入偏置电流(最大)0.25@5V uA
输出电流/通道40mA输入失调电流(最大)0.05@5V
电源电压范围(典型)�3/�5/�9/�12 V输入失调电压(最大)7@30V mV
典型输出电压(随距离变化)15V/mV传播延迟 tpLH / tpHL(最大)0.6V/μs
共模瞬态抗扰度(最小)70dB电压输出差(典型值)@ 距离100 dB

机械参数

宽度4mm高度1.5mm
长度5mm重量0.0001
带宽:1MHz包装方式Tape and Reel
引脚样式Gull-wing安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT引脚数:8
封装形式8SOIC N冷却的封装SOIC N
材料表面处理:MSL 1 - Unlimited总长度5(Max)
包装数量SOIC N尺寸/外形5 x 4 x 1.5mm
位数8外壳尺寸-插件1.5(Max)
供应商器件封装8-SOIC N

产品信息

类型General Purpose Amplifier关断No
基本单元:358技术Bipolar
制造商全称General Purpose Amplifier放大器类型General Purpose
电路数2印刷电路板数量8

环境参数

工作温度0 to 70 °C可用温度范围0to+70°C

文档与媒体

PDF 文档
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