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商业参数
| 标准包装数量 | 1,000 | 标准封装名称 | TO-92 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 350mW |
| 额定功率 | 800mW | 晶体管类型 | N-MOSFET |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)(最大)@ Id | 1.5V @ 1mA |
| 击穿电压 | 200 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| 最大功耗 | 350 | 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 200V |
| 导通电阻(最大) | 8Ω | 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 0.25 | 漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0) | 230mA |
| 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 150pF @ 25V | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 250mA (Ta) |
机械参数
| 重量 | 0.33 g | 包装方式 | Bulk |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 包装数量 | TO-92 |
| 位数 | 3 | 供应商器件封装 | TO-92-3 |
产品信息
| SPG | 2000 | 极性 | unipolar |
| 原理图 | see | 通道类型 | Enhancement |
| 单元数量 | 1 | ||
环境参数
| 工作温度 | 150 | ||
文档与媒体
PDF 文档
