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BS108G

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BS108G

制造商
描述
MOSFET 200V 250mA Logic Level N-Channel Trans MOSFET N-CH 200V 0.25A 3-Pin TO-92 Bulk MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92 BS108G Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230mA; 800mW; TO92
分类
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商业参数

标准包装数量1,000标准封装名称TO-92

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

FET类型MOSFET N-Channel, Metal Oxide最大栅源电压 Vgs±20
FET特性Logic Level Gate最大功率350mW
额定功率800mW晶体管类型N-MOSFET
元件数量1Vgs(th)(最大)@ Id1.5V @ 1mA
击穿电压200导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs8 Ohm @ 100mA, 2.8V
最大功耗350集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic200V
导通电阻(最大)漏源电压(Vdss)200V
峰值脉冲电流(10/1000µs)0.25漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)230mA
输入电容(Ciss)(最大)@ Vds150pF @ 25V连续漏极电流(Id)@ 25°C250mA (Ta)

机械参数

重量0.33 g包装方式Bulk
引脚样式Through Hole安装类型Through Hole
封装形式TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)包装数量TO-92
位数3供应商器件封装TO-92-3

产品信息

SPG2000极性unipolar
原理图see通道类型Enhancement
单元数量1

环境参数

工作温度150

文档与媒体

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