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MT4VDDT3264HY-40BJ1
| 制造商 | |
| 描述 | DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte 200SODIMM MOD DDR SDRAM 256MB 200SODIMM |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | Trays | 标准封装名称 | DIMM |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 转速 | 400MT/s | 内核大小 | 64 b |
| 时钟速率 | 400 MHz | 存取时间 | 900 ns |
| 存储器容量 | 256MB | 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 额定电压 | 2.6 V | 供电电压 | 2.6 V |
| 元件数量 | 4 | 最大额定电流 | 1160 |
| 最小供电电压 | 2.5 V | 平均整流电流 Io | 1160 mA |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Commercial | ||
机械参数
| 宽度 | 1.9(Max) | 引脚样式 | No Lead |
| 安装类型 | Socket | 封装形式 | 200SODIMM |
| 冷却的封装 | SODIMM | 总长度 | 67.75(Max) |
| 包装数量 | SODIMM | 位数 | 200 |
| 外壳尺寸-插件 | 31.9(Max) | 核心数/总线宽度 | 64 Bit |
产品信息
| 已删除 | Compliant | 密度 | 256 MB |
| 主要用途 | DRAM Module | 制造商全称 | 32Mx64 |
| 子类别 | DDR SDRAM | 模块/板类型 | 200SODIMM |
| 印刷电路板数量 | 200 | 逻辑单元/单元数量 | 512 Mb |
环境参数
| 工作温度 | 0 to 70 °C | 结工作温度 | 70C |