暂无图片
MT4VDDT3264HIY-335J1
| 制造商 | |
| 描述 | DRAM Module DDR SDRAM 256Mbyte 200SODIMM MOD DDR SDRAM 256MB 200SODIMM |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 标准包装数量 | Trays | 标准封装名称 | DIMM |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 转速 | 333MT/s | 内核大小 | 64 b |
| 频率 | 333MT/s | 时钟速率 | 333 MHz |
| 存储器容量 | 256MB | 存储器类型 | DDR SDRAM |
| 额定电压 | 2.5 V | 供电电压 | 2.5 V |
| 元件数量 | 4 | 最大额定电流 | 780 |
| 最小供电电压 | 2.3 V | 平均整流电流 Io | 780 mA |
| 共模瞬态抗扰度（最小） | Industrial | ||
机械参数
| 宽度 | 2.45(Max) | 引脚样式 | No Lead |
| 安装类型 | Socket | 封装形式 | 200SODIMM |
| 冷却的封装 | SODIMM | 总长度 | 67.75(Max) |
| 包装数量 | SODIMM | 位数 | 200 |
| 外壳尺寸-插件 | 31.9(Max) | 核心数/总线宽度 | 64 Bit |
产品信息
| 密度 | 256 MB | 主要用途 | DRAM Module |
| 制造商全称 | 32Mx64 | 子类别 | DDR SDRAM |
| 模块/板类型 | 200SODIMM | 印刷电路板数量 | 200 |
| 逻辑单元/单元数量 | 512 Mb | ||
环境参数
| 工作温度 | -40 to 85 °C | 结工作温度 | 85C |