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M29W320EB70ZE6E

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M29W320EB70ZE6E

制造商
Micron Technology, Inc.
描述NOR Flash Parallel 3V/3.3V 32Mbit 4M/2M x 8bit/16bit 70ns 48-Pin TFBGA Tray IC FLASH 32MBIT 70NS 48TFBGA MEMORY, FLASH, NOR, 32MB, B/B, 48TFBGA
分类

商业参数

标准包装数量Trays标准封装名称BGA

合规参数

RoHSLead free / RoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
欧盟RoHSCompliant海关税号85423261
抗辐射加固No

电气参数

转速70ns存储器:4M x 8bit, 2M x 16bit
电压2.7 to 3.6|11.5 to 12.5接口Parallel
存取时间70 ns存储器容量32M (4M x 8, 2M x 16)
存储器类型FLASH - NORVCCB电压:3V
额定电压3|3.3 V输出电流10 mA
供电电压Yes最大额定电流10
双向通道数Asynchronous最小供电电压2.7 V
每元件位数8/16共模瞬态抗扰度(最小)Industrial

机械参数

宽度6重量0.000003
包装方式Tray连接器护套颜色Bottom
引脚样式Ball端接方式:SMD
安装类型Surface Mount连接器类型:Bottom Boot
引脚数:48封装形式48TFBGA
冷却的封装TFBGA材料表面处理:MSL 3 - 168 hours
总长度8包装数量TFBGA
主要材料NOR位数48
外壳尺寸-插件0.9(Max)供应商器件封装48-TFBGA (6x8)

产品信息

已删除Compliant密度32 Mb
安装位置Bottom扇区大小8Kbyte x 8|64Kbyte x 63
架构Sectored可编程性Yes
存储器格式FLASH总线连接22/21 b
字容量4M/2M存储器架构Asymmetrical
地址数量22/21 Bit印刷电路板数量48
定时调节方式Asynchronous

环境参数

工作温度-40 to 85 °C结工作温度85C

文档与媒体

M29W320E.pdf
M29W320EB/ET
425269.pdf