M29F200FB55M3F2
| 制造商 | |
| 描述 | NOR Flash Parallel 5V 2Mbit 256K/128K x 8bit/16bit 55ns 44-Pin SO W T/R |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | Trays | 标准封装名称 | SOIC W |
合规参数
| 欧盟RoHS | Compliant | 抗辐射加固 | No |
电气参数
| 电压 | 4.5 to 5.5 | 接口 | Parallel |
| 存取时间 | 55 ns | 额定电压 | 5 V |
| 输出电流 | 20 mA | 供电电压 | Yes |
| 串行接口 | Yes | 最大额定电流 | 20 |
| 双向通道数 | Asynchronous | 最小供电电压 | 4.5 V |
| 每元件位数 | 8/16 | 共模瞬态抗扰度（最小） | Automotive |
机械参数
| 宽度 | 12.6 | 包装方式 | Tape and Reel |
| 连接器护套颜色 | Bottom | 引脚样式 | Gull-wing |
| 安装类型 | Surface Mount | 封装形式 | 44SO W |
| 冷却的封装 | SO W | 总长度 | 28.5 |
| 包装数量 | SO W | 主要材料 | NOR |
| 位数 | 44 | 外壳尺寸-插件 | 2.69 |
产品信息
| 已删除 | Compliant | 密度 | 2 Mb |
| 安装位置 | Bottom | 扇区大小 | 8Kbyte x 2|16Kbyte x 1|32Kbyte x 1|64Kbyte x 3 |
| 架构 | Sectored | 可编程性 | Yes |
| 存储器格式 | 8/16 b | 总线连接 | 18/17 b |
| 字容量 | 256K/128K | 存储器架构 | Asymmetrical |
| 地址数量 | 18/17 Bit | 印刷电路板数量 | 44 |
| 定时调节方式 | Asynchronous | ||
环境参数
| 工作温度 | -40 to 125 °C | 结工作温度 | 125C |