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MCP14700-E/SN

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MCP14700-E/SN

制造商
Microchip Technology Inc.
描述MOSFET DRVR 3.5A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube Power Driver ICs 4A Hi-Side MOSFET Driver 2xMOSFETDr 2.0A 36V N SOIC SMD IC MOSFET DRIVER HIGH/LOW 8SOIC MOSFET synchronous driver, 4A, SOIC8 Gate Drivers 4A Hi-Side MOSFET Driver IC, MOSFET DRIVER, HIGH/LOW, 8SOIC MOSFETsynchronousdriver,4A,SOIC8 Driver; 2A; Channels:2; non-inverting; 4.5÷5.5V; SO8 Microchip 双 MOSFET 功率驱动器, 2A, 非反相, 8针 SOIC封装
分类

商业参数

最小起订量300产品MOSFET Gate Drivers
单位包装100其他名称MCP14700ESN
产品类别Power Driver ICs标准包装数量Rail / Tube
工厂包装数量100

合规参数

RoHSRoHS CompliantSVHC:No SVHC (20-Jun-2013)
海关税号85423190汽车级NO
抗辐射加固No无铅定义RoHS-conform
故障保护NANY/N/NA/NAN

电气参数

输出端non-inverting下降时间10 ns
延迟时间27ns输入类型Non-Inverting
额定电压4.5 V开通延迟时间36 ns
上升时间(典型)10(Typ) ns输出电流80 uA
供电电流0.045(Typ) mA关断延迟时间36 ns
驱动电路High and Low Side供电电压5.5 V
输出数量2通道数量2
峰值输出电流3.5(Typ) A最小输入电压36V
最小供电电压5.5 V输入逻辑低电平CMOS/TTL
传播延迟时间36 ns输入逻辑高电平CMOS|TTL
导通电阻(最大)NY/N/NA/NAN反向恢复时间(trr)10ns
传播速度(VoP)4.5V滑臂电阻(欧姆)(典型)1|1 Ohm
峰值脉冲电流(10/1000µs)2A漏电流(IS(off))(最大)NY/N/NA/NAN
冲击放电电流 (8/20µs)10ns高侧电压(自举)最大36V

机械参数

宽度3.9mm高度1.25mm
长度4.9mm重量0.000175
包装方式Tube封装体颜色:SOIC
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数:8封装形式8SOIC N
冷却的封装SOIC材料表面处理:MSL 1 - Unlimited
包装数量100尺寸/外形4.9 x 3.9 x 1.25mm
位数8供应商器件封装8-SOIC N

产品信息

SPG100类型High and Low Side Gate Driver
基本单元:14700匹配码MCP14700-E/SN
配置High and Low Side, Synchronous单元数量1
模块/板类型:High Side, Low Side驱动器数量Single
标准交期14 weeks应用细节2xDriver
配置数1

环境参数

工作温度-40 to 125 °C结工作温度-40°C

文档与媒体

PDF 文档
在线文档