MUBW35-12A7
| 制造商 | |
| 描述 | Discrete Semiconductor Modules 35 Amps 1200V Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 50A 24-Pin MODULE IGBT CBI E2 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | Power Semiconductor Modules | 标准包装数量 | 6 |
| 工厂包装数量 | 6 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 输入端 | Three Phase Bridge Rectifier | IGBT类型 | NPT |
| 最大栅源电压 Vgs | �20 V | 最大功率 | 225W |
| NTC热敏电阻 | Yes | 供电电压 | 1200V |
| 最小输入电压 | 1200 | 最大功耗 | 225000 |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 35A | 集电极电流（Ic）（最大） | 50A |
| 输入电容 (Cies) @ Vce | 1.65nF @ 25V | 集电极截止电流（最大） | 1.1mA |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | 1.6 kV | ||
机械参数
| 宽度 | 45 | 包装方式 | Bulk |
| 安装类型 | Screw | 安装样式 | Screw |
| 封装形式 | E2 | 总长度 | 107.5 |
| 位数 | 24 | 外壳尺寸-插件 | 17 |
| 供应商器件封装 | E2 | ||
产品信息
| 类型 | Converter/Brake/Inv (CBI) IGBT Modules | 系列 | MUBW35 |
| 通道类型 | N | 配置 | Hex |
| 印刷电路板数量 | 24 | ||
环境参数
| 工作温度 | Automotive | 结工作温度 | 125C |