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MUBW20-06A7

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MUBW20-06A7

制造商
描述
Discrete Semiconductor Modules 20 Amps 600V Trans IGBT Module N-CH 600V 35A 24-Pin E2-Pack MODULE IGBT CBI E2
分类
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules标准包装数量6
工厂包装数量6标准封装名称E2-Pack

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

输入端Three Phase Bridge RectifierIGBT类型NPT
最大栅源电压 Vgs±20最大功率125W
NTC热敏电阻Yes供电电压600V
最小输入电压600最大功耗125000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.3V @ 15V, 20A集电极电流(Ic)(最大)35A
输入电容 (Cies) @ Vce1.1nF @ 25V集电极截止电流(最大)600µA
栅极触发电压 Vgt (最大)1600 V

机械参数

宽度45包装方式Bulk
安装类型Screw安装样式Screw
封装形式E2总长度107.5
包装数量E2-Pack位数24
外壳尺寸-插件17供应商器件封装E2

产品信息

类型Converter/Brake/Inv (CBI) IGBT Modules系列MUBW20
通道类型N制造商全称IXYS
配置Hex印刷电路板数量24

环境参数

工作温度- 40 C to + 125 C

文档与媒体

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