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MUBW15-12A6K
| 制造商 | |
| 描述 | Discrete Semiconductor Modules 15 Amps 1200V Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 19A 25-Pin MODULE IGBT CBI E1 MUBW15-12A6K, IGBT Module, N-channel, Hex, 19A 1200V, 25-Pin IXYS N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 19 A 1200 V, 25针 |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | Power Semiconductor Modules | 标准包装数量 | 10 |
| 工厂包装数量 | 10 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 输入端 | Three Phase Bridge Rectifier | IGBT类型 | NPT |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20V | 延迟时间 | 50 ns |
| 最大功率 | 90W | NTC热敏电阻 | Yes |
| 晶体管类型 | 3 相 | 输出电流 | 89 A |
| 供电电压 | 1200V | 最小输入电压 | 1200 V |
| 最大功耗 | 90000 | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 15A |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 19A | 输入电容 (Cies) @ Vce | 0.6nF @ 25V |
| 集电极截止电流（最大） | 600µA | 栅极触发电压 Vgt (最大) | 1600 V |
机械参数
| 宽度 | 37.4mm | 高度 | 17.1mm |
| 长度 | 82mm | 包装方式 | Bulk |
| 安装类型 | Screw | 安装样式 | Screw |
| 引脚数 | 25 | 封装形式 | E1 |
| 总长度 | 82 | 尺寸/外形 | 82 x 37.4 x 17.1mm |
| 位数 | 25 | 外壳尺寸-插件 | 17.1 |
| 供应商器件封装 | E1 | ||
产品信息
| 类型 | Converter/Brake/Inv (CBI) IGBT Modules | 系列 | MUBW15 |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | IXYS |
| 配置 | Hex | 每IC通道数 | 3 相桥接 |
| 印刷电路板数量 | 25 | ||
环境参数
| 工作温度 | +125 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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