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MKI100-12F8

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MKI100-12F8

制造商
描述
IGBT Modules 100 Amps 1200V Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 125A 14-Pin MOD IGBT H-BRIDGE 1200V 125A E3
分类
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商业参数

产品IGBT Silicon Modules标准包装数量5
工厂包装数量5

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSSupplier Unconfirmed

电气参数

输入端StandardIGBT类型NPT
最大栅源电压 Vgs+/- 20 V最大功率640W
额定功率640 WNTC热敏电阻No
供电电压1200VVce饱和电压(最大)1.2 kV
最小输入电压1200平均正向功率640 W
最大功耗640000集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic3.9V @ 15V, 100A
栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs600 nA集电极电流(Ic)(最大)125A
输入电容 (Cies) @ Vce6.5nF @ 25V集电极截止电流(最大)1.3mA
连续漏极电流(Id)@ 25°C125 A

机械参数

宽度62高度17 mm
长度122 mm包装方式Bulk
安装类型Screw封装形式E3
总长度122位数14
外壳尺寸-插件17供应商器件封装E3

产品信息

系列MKI100通道类型N
制造商全称IXYS配置Quad
印刷电路板数量14

环境参数

工作温度- 40 C

文档与媒体

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