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MKE11R600DCGFC
| 制造商 | |
| 描述 | Power Driver ICs CoolMOS Power Mosfet 600V 15A DIODE GEN PURP 600V 15A I4-PAC Gate Drivers CoolMOS Power Mosfet 600V 15A MOSFET N-CH 600V 15A I4-PAC MOSFET CoolMOS Power Mosfet 600V 15A |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | COOLMOS | 标准包装数量 | 25 |
| 工厂包装数量 | 25 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 4 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 40 nC | 上升时间（典型） | 6 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 75 ns |
| 通道数量 | 1 Channel | Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 790µA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 12A, 10V | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 600 V |
| 导通电阻（最大） | 165 mOhns | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 52nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns | 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2000pF @ 100V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 15A |
机械参数
| 重量 | 0.229281 oz | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | * | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | * | 供应商器件封装 | * |
产品信息
| 系列 | MKE11R600DCG | 技术 | SiC |
| 制造商全称 | IXYS | 配置 | Single |