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MII150-12A4

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MII150-12A4

制造商
描述
Discrete Semiconductor Modules 150 Amps 1200V Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 180A 7-Pin Y3-DCB MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
分类
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules标准包装数量2
工厂包装数量2标准封装名称Y3-DCB

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant
抗辐射加固No

电气参数

输入端StandardIGBT类型NPT
最大栅源电压 Vgs�20 V最大功率760W
NTC热敏电阻No供电电压1200V
最小输入电压1200最大功耗760000
集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.7V @ 15V, 100A集电极电流(Ic)(最大)180A
输入电容 (Cies) @ Vce6.6nF @ 25V集电极截止电流(最大)7.5mA

机械参数

宽度62包装方式Bulk
安装类型Screw安装样式Screw
封装形式Y3-DCB冷却的封装Y3-DCB
总长度110包装数量Y3-DCB
位数7外壳尺寸-插件30
供应商器件封装Y3-DCB

产品信息

类型IGBT Modules系列MII150
通道类型N制造商全称IXYS
配置Dual印刷电路板数量7

环境参数

工作温度- 40 C to + 150 C结工作温度150C

文档与媒体

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