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MII100-12A3

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MII100-12A3

制造商
描述
Discrete Semiconductor Modules IGBT MODULE 1200V, 100A Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 135A 7-Pin Y4-M5 IGBT 1200V 135A SOA/RBSOA MII100-12A3, IGBT Module, N-channel, Dual, 135A 1200V, 7-Pin Y4 M5 IXYS N通道 IGBT 模块, 串行, 135 A 1200 V, 7针 Y4 M5封装
分类
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商业参数

产品Power Semiconductor Modules产品类别Discrete Semiconductor Modules
标准包装数量6工厂包装数量6
标准封装名称Y4-M5

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant欧盟RoHSCompliant

电气参数

输入端StandardIGBT类型NPT
最大栅源电压 Vgs±20V最大功率560W
NTC热敏电阻No晶体管类型串行
供电电压1200V最小输入电压1200 V
最大功耗560000集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic2.7V @ 15V, 75A
集电极电流(Ic)(最大)135A输入电容 (Cies) @ Vce5.5nF @ 25V
集电极截止电流(最大)5mA栅极触发电压 Vgt (最大)1.2 kV

机械参数

宽度34mm高度30mm
长度94mm包装方式Bulk
安装类型Screw安装样式Screw
引脚数7封装形式Y4-M5
冷却的封装Y4 M5总长度94
包装数量Y4-M5尺寸/外形94 x 34 x 30mm
位数7外壳尺寸-插件30
供应商器件封装Y4-M5

产品信息

类型IGBT Modules系列MII100
通道类型N制造商全称IXYS
配置Dual每IC通道数串行
印刷电路板数量7

环境参数

工作温度+150 °C

文档与媒体

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