点击放大查看
IXTK22N100L
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CHAN 1000V 22A Trans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MOSFET N-CH 1000V 22A TO-264 IXTK22N100L, N-channel MOSFET Transistor 22A 1000V, 3-Pin TO-264 PowerMOSFETN-Ch1000V22ATO-264 MOSFET N, 1000 V 22 A 700 W TO-264, IXTK22N100L, Ixys IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET , 22 A, Vds=1000 V, 3针 TO-264封装 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 25 |
| 工厂包装数量 | 25 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 50 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 270 nC | 最大功率 | 700W |
| 额定功率 | 700 W | 开通延迟时间 | 36 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 35 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 关断延迟时间 | 80 ns |
| 首抽头延迟 | 80 ns | 供电电压 | 1000 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 0.6 Ω | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 1000 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 11A, 20V |
| 平均正向功率 | 700 W | 最大功耗 | 700 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1 kV | 导通电阻（最大） | 0.6 Ω |
| 反向恢复时间（trr） | 1000 nstyp | 电流传输比（最小） | 4.5 s |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 270nC @ 15V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 36 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 1000V (1kV) | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 22 A |
| 跳闸后电阻（R1）（最大） | 0.6 Ohm | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 22 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 7050pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 22A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.13mm | 高度 | 26.16mm |
| 长度 | 19.96mm | 重量 | 0.257500 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-264-3, TO-264AA |
| 冷却的封装 | TO-264 | 总长度 | 19.96(Max) |
| 包装数量 | TO-264 | 尺寸/外形 | 19.96 x 5.13 x 26.16mm |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 26.16(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-264 | ||
产品信息
| 类型 | Linear Power MOSFET | 系列 | IXTK22N100 |
| 功能 | Y | 极性 | N |
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | IXYS | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 变体后缀 | Enhancement mode |
| 其他规格 | 1000 V | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||