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IXTK17N120L
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 17 Amps 1200V Trans MOSFET N-CH 1.2KV 17A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264 IXTK17N120L, N-channel MOSFET Transistor 17A 1200V, 3-Pin TO-264 PowerMOSFETN-Ch1200V17ATO-264 IXYS Linear 系列 N沟道 Si MOSFET , 17 A, Vds=1200 V, 3针 TO-264封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 标准包装数量 | 25 | 工厂包装数量 | 25 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 63 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 270 nC | 最大功率 | 700W |
| 额定功率 | 700 W | 开通延迟时间 | 40 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 39 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 关断延迟时间 | 75 ns |
| 首抽头延迟 | 75 ns | 供电电压 | 1200 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 990 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA |
| 击穿电压 | 1200 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 900 mOhm @ 8.5A, 20V |
| 平均正向功率 | 700 W | 最大功耗 | 700 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1.2 kV | 导通电阻（最大） | 0.99 Ω |
| 电流传输比（最小） | 3.5 s | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 155nC @ 15V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 40 ns | 漏源电压（Vdss） | 1200V (1.2kV) |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 17 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 17 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 8300pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 17A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.13mm | 高度 | 26.16mm |
| 长度 | 19.96mm | 重量 | 0.352740 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-264-3, TO-264AA |
| 冷却的封装 | TO-264 | 总长度 | 19.96(Max) |
| 包装数量 | TO-264 | 尺寸/外形 | 19.96 x 5.13 x 26.16mm |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 26.16(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-264 | ||
产品信息
| 类型 | Linear Power MOSFET | 系列 | IXTK17N120 |
| 功能 | Y | 技术 | Si |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | IXYS |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||