点击放大查看
IXTH12N100L
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds Trans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247 MOSFET N-CH 1000V 12A TO-247 IXTH12N100L, N-channel MOSFET Transistor 12A 1000V, 3-Pin TO-247 PowerMOSFETN-Ch1000V12ATO-247 IXYS , N沟道 MOSFET, 12 A, Vds=1000 V, 3针 TO-247封装 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 标准包装数量 | 30 | 工厂包装数量 | 30 |
| 标准封装名称 | TO-247 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 65 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 400W | 额定功率 | 400 W |
| 开通延迟时间 | 30 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 55 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 110 ns | 首抽头延迟 | 110 ns |
| 供电电压 | 1000 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 1.3 Ω |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 250µA | 击穿电压 | 1000 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 1.3 Ohm @ 500mA, 20V | 平均正向功率 | 400 W |
| 最大功耗 | 400 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 1000 V |
| 导通电阻（最大） | 1.3 Ω | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 155nC @ 20V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 30 ns | 漏源电压（Vdss） | 1000V (1kV) |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 12 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 12 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2500pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 12A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.3mm | 高度 | 21.46mm |
| 长度 | 16.26mm | 重量 | 0.229281 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-247-3 | 冷却的封装 | TO-247 |
| 总长度 | 16.26(Max) | 包装数量 | TO-247 |
| 尺寸/外形 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 21.46(Max) | 供应商器件封装 | TO-247 |
产品信息
| 系列 | IXTH12N100 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | N |
| 制造商全称 | IXYS | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||