点击放大查看
IXFX320N17T2
| 制造商 | |
| 描述 | Power Driver ICs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 产品 | MOSFET Gate Drivers | 商标名 | TrenchT2 GigaMOS |
| 标准包装数量 | 30 | 工厂包装数量 | 30 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 230 ns |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 1670W |
| 额定电压 | 170 V | 开通延迟时间 | 46 ns |
| 上升时间（典型） | 170 ns | 输出电流 | 100 A |
| 供电电流 | 100 A | 关断延迟时间 | 115 ns |
| 输出数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 5.2 mOhm @ 60A, 10V | 平均正向功率 | 1670 W |
| 最大功耗 | 1670 W | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 640nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 170V | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 45000pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 320A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Tube | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | PLUS-247 |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 | ||
产品信息
| 类型 | GigaMOS Trench T2 HiperFet | 系列 | IXFX320N17 |
| 制造商全称 | IXYS | 驱动器数量 | Single |
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | ||