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IXFN80N50P
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 500V 80A Trans MOSFET N-CH 500V 66A 4-Pin SOT-227B MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227 IXFN80N50P, N-channel MOSFET Transistor & Diode 66A 500V, 4-Pin SOT-227B IXYS , N沟道 MOSFET, 66 A, Vds=500 V, 4针 SOT-227B封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | HyperFET | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 10 | 工厂包装数量 | 10 |
| 标准封装名称 | SOT-227 | ||
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 18 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 700W | 额定功率 | 700 W |
| 开通延迟时间 | 25 ns | 输出功能 | 增强 |
| 上升时间（典型） | 27 ns | 晶体管类型 | N-Channel |
| 关断延迟时间 | 70 ns | 首抽头延迟 | 70 ns |
| 供电电压 | 500 V | 通道数量 | 1 Channel |
| 元件数量 | 1 | 输入电阻 | 65 mΩ |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 8mA | 击穿电压 | 500 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 500mA, 10V | 平均正向功率 | 700 W |
| 最大功耗 | 700 W | 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 500 V |
| 导通电阻（最大） | 0.065 Ω | 电流传输比（最小） | 70 s |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 195nC @ 10V | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 25 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 66 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 30 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 66 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 12700pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 66A |
机械参数
| 宽度 | 25.07mm | 高度 | 9.6mm |
| 长度 | 38.2mm | 重量 | 1.340411 oz |
| 包装方式 | Tube | 引脚样式 | Screw |
| 安装类型 | Screw | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | 4 | 封装形式 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 冷却的封装 | SOT-227B | 总长度 | 38.23(Max) |
| 包装数量 | SOT-227B | 尺寸/外形 | 38.2 x 25.07 x 9.6mm |
| 位数 | 4 | 供应商器件封装 | SOT-227B |
产品信息
| 系列 | IXFN80N50 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | IXYS | 卡标准 | Power MOSFET |
| 配置 | Dual Source, Single | 印刷电路板数量 | 4 |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||
文档与媒体
PDF 文档
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