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IXFK360N15T2
| 制造商 | |
| 描述 | Power Driver ICs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET Trans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) TO-264 MOSFET N-CH 150V 360A TO264 Gate Drivers GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | MOSFET Gate Drivers | 商标名 | TrenchT2 GigaMOS |
| 标准包装数量 | 25 | 工厂包装数量 | 25 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 265 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 1670W | 额定电压 | 150 V |
| 开通延迟时间 | 50 ns | 上升时间（典型） | 170 ns |
| 输出电流 | 100 A | 供电电流 | 100 A |
| 关断延迟时间 | 115 ns | 输出数量 | 1 |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 8mA |
| 击穿电压 | 150 | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 60A, 10V |
| 平均正向功率 | 1670 W | 最大功耗 | 1670 W |
| 导通电阻（最大） | 4@10V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 715nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 360 |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 47500pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 360A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 5.13(Max) | 包装方式 | Tube |
| 插片宽度 | Tab | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 封装形式 | TO-264 |
| 总长度 | 19.96(Max) | 包装数量 | TO-264 |
| 位数 | 3 | 外壳尺寸-插件 | 26.16(Max) |
| 供应商器件封装 | TO-264 | ||
产品信息
| 类型 | GigaMOS Trench T2 HiperFet | 系列 | IXFK360N15 |
| 通道类型 | Enhancement | 制造商全称 | IXYS |
| 驱动器数量 | Single | 印刷电路板数量 | 3 |
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | ||