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IXFH52N30P
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Rds Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-247 MOSFET N-CH 300V 52A TO-247 IXFH52N30P, N-channel MOSFET Transistor & Diode 52A 300V, 3-Pin TO-247 IXYS , N沟道 MOSFET, 52 A, Vds=300 V, 3针 TO-247封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | Polar, HiPerFET | 标准包装数量 | 30 |
| 工厂包装数量 | 30 | 标准封装名称 | TO-247 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 20 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 110 nC | 最大功率 | 400W |
| 额定功率 | 400 W | 开通延迟时间 | 24 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 22 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 关断延迟时间 | 60 ns |
| 首抽头延迟 | 60 ns | 供电电压 | 300 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 66 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 5V @ 4mA |
| 击穿电压 | 300 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 500mA, 10V |
| 平均正向功率 | 400 W | 最大功耗 | 400 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 300 V | 导通电阻（最大） | 0.066 Ω |
| 电流传输比（最小） | 20 s | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 110nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 24 ns | 漏源电压（Vdss） | 300V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 52 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 52 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3490pF @ 25V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 52A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 5.3mm | 高度 | 21.46mm |
| 长度 | 16.26mm | 重量 | 0.229281 oz |
| 包装方式 | Tube | 插片宽度 | Tab |
| 引脚样式 | Through Hole | 安装类型 | Through Hole |
| 安装样式 | Through Hole | 引脚数 | 3 |
| 封装形式 | TO-247-3 | 冷却的封装 | TO-247 |
| 总长度 | 16.26(Max) | 包装数量 | TO-247 |
| 尺寸/外形 | 16.26 x 5.3 x 21.46mm | 位数 | 3 |
| 外壳尺寸-插件 | 21.46(Max) | 供应商器件封装 | TO-247 |
产品信息
| 类型 | Polar Power MOSFETs HiPerFET | 系列 | IXFH52N30 |
| 功能 | Y | 技术 | Si |
| 通道类型 | N | 制造商全称 | IXYS |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
| 印刷电路板数量 | 3 | ||
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||