M51264K110
| 制造商 | |
| 描述 | DRAM Module 4Gbyte SODIMM |
| 分类 |
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合规参数
| 抗辐射加固 | No | ||
电气参数
| 时钟速率 | 1600 MHz | ||
机械参数
| 安装类型 | Socket | 冷却的封装 | SODIMM |
产品信息
| 密度 | 4GByte b | 主要用途 | DRAM Module |
| 模块/板类型 | SODIMM | ||
| 制造商 | |
| 描述 | DRAM Module 4Gbyte SODIMM |
| 分类 |
| 抗辐射加固 | No | ||
| 时钟速率 | 1600 MHz | ||
| 安装类型 | Socket | 冷却的封装 | SODIMM |
| 密度 | 4GByte b | 主要用途 | DRAM Module |
| 模块/板类型 | SODIMM | ||