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IPP072N10N3 G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-KANAL POWER MOS MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 MOSFET N-Channel 100V 80A OptiMOS3 TO220 Infineon , N沟道 MOSFET, 80 A, Vds=100 V, 3针 TO-220封装 MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 零件号别名 | IPP072N10N3GXKSA1 SP000680830 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 500 |
| 工厂包装数量 | 500 | ||
合规参数
| RoHS | Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 9 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Standard |
| 栅极电荷 | 68 nC | 最大功率 | 150W |
| 额定功率 | 150 W | 开通延迟时间 | 19 ns |
| 输出功能 | 增强 | 上升时间（典型） | 37 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 关断延迟时间 | 37 ns |
| 首抽头延迟 | 37 ns | 供电电压 | 100 V |
| 通道数量 | 1 Channel | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 7.2 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 3.5V @ 90µA |
| 击穿电压 | 100 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 7.2 mOhm @ 80A, 10V |
| 平均正向功率 | 150 W | 最大功耗 | 150 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 100 V | 导通电阻（最大） | 7.2 mΩ |
| 电流传输比（最小） | 50 S | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 68nC @ 10V |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 19 ns | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 80 A | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 80 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4910pF @ 50V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 15.95mm | 高度 | 4.57mm |
| 长度 | 10.36mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 | 封装形式 | TO-220-3 |
| 冷却的封装 | PG-TO-220-3 | 包装数量 | TO-220 |
| 尺寸/外形 | 10.36 x 15.95 x 4.57mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 | ||
产品信息
| 系列 | IPP072N10 | 功能 | Y |
| 技术 | Si | 通道类型 | Enhancement |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 卡标准 | High Frequency Switching, Synchronous Rectification |
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 工作温度 | +175 °C | ||