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IPP041N04N G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 Power TRANSITOR 40V 80A N-CH 40V 80A 4mOhm TO220-3 MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 MOSFET, N CH, 80A, 40V, PG-TO220-3 Infineon , N沟道 MOSFET, 80 A, Vds=40 V, 3针 TO-220封装 MOSFET N-Ch 40V 80A TO220-3 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 500 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 500 | 零件号别名 | IPP041N04NGHKSA1 IPP041N04NGXKSA1 SP000680790 |
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 500 |
| 工厂包装数量 | 500 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 4.8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | 逻辑类型 | NO |
| FET特性 | Standard | 最大功率 | 94W |
| 额定功率 | 94 W | 上升时间（典型） | 3.8 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 23 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 45µA | 阈值电压 | :2V |
| 最大额定电流 | :80A | 导通电阻 RDS(On) | :3.3mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0041 Ohms | 最大功耗 | :94W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V | 每端口功率（瓦） | 94W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 42nC |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 80 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 4500pF @ 20V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 80A (Tc) | ||
机械参数
| 重量 | 0.002 | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | THT | 安装样式 | Through Hole |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO-220 |
| 材料表面处理 | :- | 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
产品信息
| 系列 | IPP041N04 | 匹配码 | IPP041N04N G |
| 配置 | Single | 标准交期 | 1 week |
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | 热阻 @ GPM | 1.6K/W |