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IPD036N04L G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 90A N-CH 40V 90A 4mOhm TO252-3 MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 MOSFET, N CH, 90A, 40V, PG-TO252-3 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET , 90 A, Vds=40 V, 3针 TO-252封装 MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 2500 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 2500 | 其他名称 | IPD036N04L GCT |
| 零件号别名 | IPD036N04LGBTMA1 SP000387945 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 2,500 | 工厂包装数量 | 2500 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 6 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 94W |
| 额定功率 | 94 W | 上升时间（典型） | 5.4 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 37 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 45µA | 阈值电压 | :1.2V |
| 最大额定电流 | :90A | 导通电阻 RDS(On) | :3mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0049Ohm | 最大功耗 | :94W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 40 V | 每端口功率（瓦） | 94W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 78nC |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 90A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 6300pF @ 20V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 90A | ||
机械参数
| 重量 | 0.002 | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | SMD | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO252-3 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
产品信息
| 系列 | IPD036N04 | 匹配码 | IPD036N04L G |
| 技术 | OptiMOS | 配置 | Single |
| 标准交期 | 14 weeks | ||
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | 热阻 @ GPM | 1.6K/W |