点击放大查看
IPB080N03L G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 30V 50A N-CH 30V 50A 8mOhm TO263-3 MOSFET N-CH 30V 50A TO263-3 MOSFET, N CH, 50A, 30V, PG-TO263-3 MOSFET N-Ch 30V 50A D2PAK-2 OptiMOS 3 |
| 分类 |
对参数有疑问？问 AI 助手
商业参数
| 最小起订量 | 1000 | 商标名 | OptiMOS |
| 单位包装 | 1000 | 其他名称 | IPB080N03L GCT |
| 零件号别名 | IPB080N03LGATMA1 IPB080N03LGXT SP000304104 | 产品类别 | MOSFET |
| 标准包装数量 | 1,000 | 工厂包装数量 | 1000 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 海关税号 | 85412900 |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 2.8 ns |
| 最大栅源电压 Vgs | :10V | 逻辑类型 | YES |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 47W |
| 额定功率 | 47 W | 上升时间（典型） | 3.6 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 18 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2.2V @ 250µA | 阈值电压 | :1V |
| 最大额定电流 | :50A | 导通电阻 RDS(On) | :6.7mohm |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.008 Ohms | 最大功耗 | :47W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30 V | 每端口功率（瓦） | 47W |
| 供电电压 (Vcc/Vdd) | 30V | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 8.7nC |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 50 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1900pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 50A | ||
机械参数
| 重量 | 0.002 | 包装方式 | Reel |
| 安装类型 | SMD | 安装样式 | SMD/SMT |
| 引脚数 | :3 | 封装形式 | TO-263 |
| 材料表面处理 | :MSL 1 - Unlimited | 供应商器件封装 | PG-TO263-2 |
产品信息
| 系列 | IPB080N03 | 匹配码 | IPB080N03L G |
| 配置 | Single | 标准交期 | 13 weeks |
环境参数
| 工作温度 | + 175 C | 热阻 @ GPM | 3.2K/W |