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IPB06N03LA G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | MOSFET | 标准包装数量 | 1,000 |
| 工厂包装数量 | 1000 | ||
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 4.4 ns |
| FET特性 | Logic Level Gate | 最大功率 | 83W |
| 额定功率 | 83 W | 上升时间（典型） | 30 ns |
| 晶体管类型 | N-Channel | 首抽头延迟 | 30 ns |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 40µA | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 9.5 mOhms |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 25 V | 电流传输比（最小） | 58 S / 29 S |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 5V | 直流电阻（DCR）- 初级 | 58 S / 29 S |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 50 A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 2653pF @ 15V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 50A (Tc) | ||
机械参数
| 包装方式 | Reel | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-263 |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 | ||
产品信息
| 配置 | Single | ||
环境参数
| 机械寿命 | End of Life: Scheduled for obsolescence and will be discontinued by the manufacturer. | 工作温度 | + 175 C |