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F3L75R12W1H3_B27
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | IGBT Modules |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | IGBT Silicon Modules | 工厂包装数量 | 24 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 最大栅源电压 Vgs | +/- 20 V | 供电电压 | 1.2 kV |
| Vce饱和电压（最大） | 1.45 V | 平均正向功率 | 275 W |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 100 nA | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 45 A |
机械参数
| 安装样式 | Clamp | 封装形式 | EasyPack1B |
产品信息
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 配置 | 3-Phase |
环境参数
| 工作温度 | - 40 C | ||