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BUZ31 H
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-Channel 200V Transistor MOSFET N-CH 200V 14.5A TO220-3 MOSFET N-Channel 200V 14.5A TO220 |
| 分类 |
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商业参数
| 商标名 | OptiMOS | 零件号别名 | BUZ31HXKSA1 SP000682992 |
| 标准包装数量 | 500 | ||
合规参数
| RoHS | Compliant | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 下降时间 | 60 nS |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | FET特性 | Standard |
| 最大功率 | 95W | 额定功率 | 95 W |
| 上升时间（典型） | 50 nS | 晶体管类型 | N-Channel |
| 首抽头延迟 | 150 ns | 元件数量 | 1 |
| Vgs(th)（最大）@ Id | 4V @ 1mA | 击穿电压 | 200 V |
| 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 9A, 5V | 最大功耗 | 95 W |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 200 V | 导通电阻（最大） | 0.2 Ω |
| 电流传输比（最小） | 12 S | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 12 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 14.5 A |
| 栅极触发电压 Vgt (最大) | +/- 20 V | 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 14.5 A |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 1120pF @ 25V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 14.5A (Tc) |
机械参数
| 宽度 | 4.57mm | 高度 | 9.45mm |
| 长度 | 10.36mm | 包装方式 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole | 安装样式 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-220-3 | 冷却的封装 | PG-TO-220-3 |
| 尺寸/外形 | 10.36 x 4.57 x 9.45mm | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 | ||
产品信息
| 系列 | BUZ31 | 通道类型 | Enhancement |
| 卡标准 | Power MOSFET | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||