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BSZ040N04LS G
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANS 40V 40A N-CH 40V 40A 4.0mOhm S3O8 MOSFET N-CH 40V 40A TSDSON-8 MOSFET N-Channel 40V 18A TSDSON8 Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET , 40 A, Vds=40 V, 8针 TSDSON封装 MOSFET N-Ch 40V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3 |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 5000 | 单位包装 | 5000 |
| 其他名称 | BSZ040N04LSGINCT | 标准包装数量 | 5,000 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 汽车级 | NO |
| 无铅定义 | RoHS-conform | ||
电气参数
| FET类型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 最大栅源电压 Vgs | ±20 V |
| 逻辑类型 | YES | FET特性 | Logic Level Gate |
| 最大功率 | 69W | 首抽头延迟 | 33 ns |
| 元件数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 2V @ 36µA |
| 击穿电压 | 40 V | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 0.0056Ohm |
| 最大功耗 | 69 W | 每端口功率（瓦） | 69W |
| 导通电阻（最大） | 5.6 mΩ | 供电电压 (Vcc/Vdd) | 40V |
| 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | 31nC | 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 8.5 ns |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 峰值脉冲电流（10/1000µs） | 40 A |
| 漏极电流（Idss）@ Vds（Vgs=0） | 40A | 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 5100pF @ 20V |
| 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 18A (Ta), 40A (Tc) | ||
机械参数
| 宽度 | 3.4mm | 高度 | 1.1mm |
| 长度 | 3.4mm | 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | SMD | 封装形式 | TSDSON-8 |
| 冷却的封装 | PG-TSDSON-8 | 尺寸/外形 | 3.4 x 3.4 x 1.1mm |
| 位数 | 8 | 供应商器件封装 | PG-TSDSON-8 (3.3x3.3) |
产品信息
| 匹配码 | BSZ040N04LS G | 技术 | OptiMOS |
| 通道类型 | Enhancement | 卡标准 | DC/DC Converter, SMPS |
| 配置 | Quad Drain, Single Gate, Triple Source | 标准交期 | 22 weeks |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | 热阻 @ GPM | 1.8K/W |
文档与媒体
PDF 文档