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BFG 196 E6327

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BFG 196 E6327

制造商
描述
Transistors Bipolar - BJT NPN Silicon RF TRANSISTOR TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-223
分类
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商业参数

产品类别Transistors Bipolar - BJT标准包装数量2,000
工厂包装数量1000

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

增益9dB ~ 14.5dB最大功率800mW
晶体管类型NPN供电电压12 V
过渡频率7.5GHz增益带宽积7500 MHz
最大功耗800 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic20 V
噪声系数(dB典型值 @ f)1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHzVce饱和电压(最大)@ Ib, Ic2 V
集电极电流(Ic)(最大)150mA集电极截止电流(最大)0.15 A
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce70 at 50 mA at 8 V

机械参数

包装方式Reel安装类型Surface Mount
安装样式SMD/SMT封装形式SOT-223-4
供应商器件封装PG-SOT223-4

产品信息

配置Single

环境参数

机械寿命Obsolete工作温度+ 150 C