芯天下
BC 850C E6327

点击放大查看

BC 850C E6327

制造商
Infineon Technologies AG
描述Transistors Bipolar - BJT NPN 30 V 100 mA TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Infineon , NPN 晶体管, 0.1 A, Vce=50 V, HFE:110, 3针 SOT-23封装 Bipolar Transistors - BJT NPN 30 V 100 mA
分类
对参数有疑问?问 AI 助手

商业参数

其他名称BC850CE6327INCT零件号别名BC850CE6327HTSA1 SP000010563
产品类别Transistors Bipolar - BJT标准包装数量3,000
工厂包装数量3000

合规参数

RoHSLead free / RoHS Compliant

电气参数

最大功率330mW晶体管类型NPN
供电电压45V元件数量1
Vce饱和电压(最大)200 mV过渡频率250MHz
增益带宽积250 MHz平均正向功率330 mW
最大功耗330 mW集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic50 V
Vce饱和电压(最大)@ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA集电极电流(Ic)(最大)100mA
集电极截止电流(最大)0.1 A阳极-阴极电压(Vak)(最大)6 V
直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V

机械参数

宽度1.3mm高度0.9mm
长度2.9mm包装方式Tape & Reel (TR)
安装类型Surface Mount安装样式SMD/SMT
引脚数3封装形式TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
包装数量SOT-23尺寸/外形2.9 x 1.3 x 0.9mm
供应商器件封装PG-SOT23-3

产品信息

系列BC850制造商全称Infineon Technologies
配置Single

环境参数

工作温度- 65 C