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BC 850B E6327
| 制造商 | Infineon Technologies AG |
| 描述 | Transistors Bipolar - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R TRANSISTOR NPN AF 45V SOT-23 Bipolar Transistors - BJT NPN SilicnAF TRNSTRS |
| 分类 |
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商业参数
| 其他名称 | BC 850B E6327CT | 零件号别名 | BC850BE6327HTSA1 SP000010572 |
| 产品类别 | Transistors Bipolar - BJT | 标准包装数量 | 3,000 |
| 工厂包装数量 | 3000 | 标准封装名称 | SOT-23 |
合规参数
| RoHS | Lead free / RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 最大功率 | 330mW | 最大频率 | 250(Typ) |
| 晶体管类型 | NPN | 供电电压 | 45V |
| 元件数量 | 1 | Vce饱和电压（最大） | 200 mV |
| 最小输入电压 | 45 | 过渡频率 | 250MHz |
| 增益带宽积 | 250 MHz (Typ) | 电源电压（最大） | 6 |
| 平均正向功率 | 330 mW | 最大功耗 | 330 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 50 V | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 100mA | 集电极截止电流（最大） | 0.1 A |
| 直流电流增益 hFE (最小) @ Ic, Vce | 200@2mA@5V | ||
机械参数
| 宽度 | 1.3 mm | 高度 | 1 mm |
| 长度 | 2.9 mm | 包装方式 | Tape and Reel |
| 引脚样式 | Gull-wing | 安装类型 | Surface Mount |
| 安装样式 | SMD/SMT | 封装形式 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 包装数量 | SOT-23 | 位数 | 3 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT23-3 | ||
产品信息
| 类型 | NPN | 系列 | BC850 |
| 制造商全称 | Infineon Technologies | 配置 | Single |
环境参数
| 工作温度 | - 65 C | ||