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IRFH5302DTR2PBF
| 制造商 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 29A 8VQFN Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 , 29 A, Vds=30 V, 8针 PQFN封装 |
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电气参数
| 开通延迟时间 | 16 ns | 输出功能 | 增强 |
| 晶体管类型 | 单 | 关断延迟时间 | 20 ns |
| 供电电压 | 30 V | 元件数量 | 1 |
| 输入电阻 | 3 mΩ | Vgs(th)（最大）@ Id | 2.35V |
| 最大功耗 | 3600 mW | 栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs | ±20 V |
| 输入电容（Ciss）（最大）@ Vds | 3635 pF @ 25 V | 连续漏极电流（Id）@ 25°C | 29 A |
机械参数
| 宽度 | 6mm | 高度 | 0.81mm |
| 长度 | 5mm | 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数 | 8 | 包装数量 | PQFN |
| 尺寸/外形 | 5 x 6 x 0.81mm | ||
产品信息
| 系列 | HEXFET | 功能 | Y |
| 通道类型 | N | 卡标准 | 功率 MOSFET |
环境参数
| 工作温度 | +150 °C | ||