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SDP8476-201
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors .32mAPHOTOTRANSISTOR IR COMPONENT 20 deg Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Sensors, Infrared Sensors, Reflective PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Product Highlights:Side-looking plastic packageLow light level immunity50 ° (nominal) acceptance angleMechanically and spectrally matched to SEP8506 and SEP8706 infrared emitting diodes IR phototransistor, SDP8476-201, Honeywell |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | Phototransistors | 交货时间 | 84 Days |
| 其他名称 | 480-1959 | 子类别 | Phototransistor |
| 产品类别 | Phototransistors | 标准包装数量 | 1 |
| 标准封装名称 | T-1 | ||
合规参数
| RoHS | In Transition | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 电流 | 1.0 mA/mW/cm² to 6.0 mA/mW/cm² | 下降时间 | 15 us |
| 波长 | 935nm | 最大功率 | 100mW |
| 额定功率 | 70 mW | 感应角度 | 20 |
| 视角 | 20° | 上升时间（典型） | 15 us |
| 晶体管类型 | Phototransistor | 输出电流 | 40 µ A |
| 供电电压 | 30 V | 峰值波长 | 935 |
| 通道数量 | 1 | 暗电流（最大） | 100 |
| 暗电流（典型值） | 100 nA | 最大额定电流 | 6.0 mA |
| Vce饱和电压（最大） | 0.4 V | 最小输入电压 | 30 |
| 上升/下降时间（典型） | 15 µs | 最大功耗 | 70 mW |
| 暗电流 Id（最大） | 100nA | 集电极电流（Ic）（最大） | 6mA |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 15000(Typ) | ||
机械参数
| 封装体颜色 | clear | 引脚样式 | Through Hole |
| 方向 | Side View | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | T-1 | 包装数量 | T-1 |
| 位数 | 2 | ||
产品信息
| 类型 | Photodetector Transistors | 系列 | Low Light Rejection Phototransistor |
| 极性 | NPN | 产品子类型 | IR Component |
| 入射角（AOI） | 20 ° | ||
环境参数
| 熔点 | 0.125 mW/cm² | 工作温度 | + 85 C |