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SDP8405-014
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors Silicon PhotoTrans T-1 Plastic Package Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 PHOTOTRANSISTOR 20DEG Sensors, Infrared Sensors, Emitter PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 IRT-1Phototransistor20ª,SDP8405- InfraredSensors SDP Series Silicon PhotoTransistor, T-1 Plastic Package |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 100 | 产品 | Phototransistors |
| 交货时间 | 20 Days | 单位包装 | 100 |
| 子类别 | Phototransistor | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | 1 | 标准封装名称 | T-1 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | ||
电气参数
| 电流 | 0.64 mA | 下降时间 | 15 us |
| 波长 | 880 nm | 最大功率 | 70mW |
| 灵敏度 | 880nm | 额定功率 | 70 mW |
| 感应角度 | 20 | 视角 | 20° |
| 上升时间（典型） | 15 us | 晶体管类型 | Phototransistor |
| 供电电压 | 30 V | 峰值波长 | 935 |
| 通道数量 | 1 | 暗电流（最大） | 100 |
| 暗电流（典型值） | 100 nA | 最大额定电流 | 920µA |
| Vce饱和电压（最大） | 0.4 V | 最小输入电压 | 30 |
| 上升/下降时间（典型） | 15000ns | 最大功耗 | 70 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30V | 暗电流 Id（最大） | 320µA |
| Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 5V | 集电极电流（Ic）（最大） | 1.85mA |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 15000(Typ) | ||
机械参数
| 包装方式 | BULK | 引脚样式 | Through Hole |
| 透镜颜色 | Clear | 方向 | Top View |
| 安装类型 | Through Hole | 封装形式 | T-1 |
| 包装数量 | T-1 | 位数 | 2 |
产品信息
| 类型 | Photodetector Transistors | 系列 | Phototransistor |
| 极性 | NPN | 匹配码 | SDP8405-014 |
| 产品子类型 | IR Component | 标准交期 | 10 weeks |
| 其他规格 | THT | ||
环境参数
| 工作温度 | + 85 C | 结工作温度 | -40°C |