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SDP8405-002
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors Silicon PhotoTrans T-1 Plastic Package Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Sensors, Infrared Sensors, Emitter PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 Phototransistor Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Product Highlights:T-1 plastic package20 ° (nominal) acceptance angleConsistent optical propertiesWide sensitivity rangesMechanically and spectrally matched to SEP8505 and SEP8705 infrared emitting diodes InfraredSensors SDP Series Silicon PhotoTransistor, T-1 Plastic Package |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | Phototransistors | 交货时间 | 84 Days |
| 子类别 | Phototransistor | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | 1 | 标准封装名称 | T-1 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 电流 | 7.0 mA | 响应类型 | 20 |
| 下降时间 | 15 us | 波长 | 880 nm |
| 最大功率 | 70mW | 额定功率 | 70 mW |
| 感应角度 | 20 | 视角 | 20° |
| 上升时间（典型） | 15 us | 晶体管类型 | Phototransistor |
| 供电电压 | 30 V | 峰值波长 | 935 |
| 通道数量 | 1 | 击穿电压 | 50 V |
| 暗电流（最大） | 100 | 暗电流（典型值） | 100 nA |
| 最大额定电流 | 14.0 mA | Vce饱和电压（最大） | 0.4 V |
| 最小输入电压 | 30 | 上升/下降时间（典型） | 15 µs |
| 最大功耗 | 70 mW | 暗电流 Id（最大） | 100nA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 14mA | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 15000(Typ) |
机械参数
| 引脚样式 | Through Hole | 透镜颜色 | Clear |
| 方向 | Top View | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | T-1 | 冷却的封装 | T1 |
| 包装数量 | T-1 | 位数 | 2 |
产品信息
| 备注 | The radiation source is a tungsten lamp operating at a color temperature of 2870°K. | 类型 | Photodetector Transistors |
| 系列 | Phototransistor | 极性 | NPN |
| 产品子类型 | IR Component | ||
环境参数
| 工作温度 | + 85 C | ||