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SDP8105-001
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors 10kOhm PULL UP TO-46 IR COMPONENT 12 deg Photodarlington Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Sensors, Infrared Sensors, Detector PHOTODARLINGTON SILICON T-1 Detector; T-1; NPN; 20 deg; 15 V; 1.1 V; 0.5 mA (Min.); 250 nA; 70 mW; -40 deg Photodarlington Chip Silicon 935nm 2-Pin T-1 Product Highlights:T-1 plastic package20 ° (nominal) acceptance angleConsistent optical propertiesMechanically and spectrally matched to SEP8505 and SEP8705 infrared emitting diodes Detector;T-1;NPN;20deg;15V;1.1V;0.5mA(Min.);250nA;70mW;-40deg SDP8105 Series Silicon Photodarlington, T-1 Plastic Honeywell 红外 光电晶体管 , 20 °半感光角度, 3mm (T-1) 封装 |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | Photodarlingtons | 交货时间 | 84 Days |
| 子类别 | Phototransistor | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | 1 | 标准封装名称 | T-1 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
电气参数
| 电流 | 0.5 mA | 响应类型 | 20° |
| 下降时间 | 75 us | 波长 | 935nm |
| 最大功率 | 70mW | 额定功率 | 70 mW |
| 感应角度 | 20 | 视角 | 20° |
| 光谱范围 | 红外 | 上升时间（典型） | 75 us |
| 晶体管类型 | Photodarlington | 供电电压 | 15 V |
| 峰值波长 | 935nm | 通道数量 | 1 |
| 暗电流（最大） | 250 nA | 暗电流（典型值） | 250 nA |
| 最大额定电流 | 0.5mA | Vce饱和电压（最大） | 1.1 V |
| 最小输入电压 | 15 | 上升/下降时间（典型） | 75 µs |
| 最大功耗 | 70 mW | 暗电流 Id（最大） | 250nA |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 75us | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 75000(Typ) |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 75µs | ||
机械参数
| 长度 | 12.7mm | 直径 | 5.08mm |
| 引脚样式 | Through Hole | 透镜颜色 | Black |
| 方向 | Top View | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | T-1 | 总长度 | 0.5in.(Min.) |
| 包装数量 | T-1 | 尺寸/外形 | 0.25in.Hx0.125in.D |
| 触点数 | 2 | 位数 | 2 |
产品信息
| 备注 | The radiation source is a IRED with a peak wavelength of 935 nm. | 类型 | Photodetector Transistors |
| 系列 | Photodarlington | 极性 | NPN |
| 产品子类型 | IR Component | ||
环境参数
| 工作温度 | + 85 C | 结工作温度 | 85°C |