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SD5491-004
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors Silicon PhotoTrans TO-18 Mtl Can Pkg Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18 Sensors, Infrared Sensors, Emitter PHOTOTRANSISTOR NPN TO-18 Detector; Phototransistor; TO-18; NPN; 12 deg; 30 V; 0.4 V; 4 mA (Max.); 100 nA Phototransistor IR Chip Silicon 935nm 3-Pin TO-18 Product Highlights:TO-18 metal can package12 ° (nominal)acceptance angleWide operating temperature range [-55 °C to 125 °C]Fast response timeWide sensitivity rangesExternal base connection for added controlMechanically and spectrally matched to SE3450/5450, SE3455/5455 and SE3470/5470 infrared emitting diodes Detector,Phototransistor;TO-18;NPN;12deg;30V;0.4V;4mA(Max.);100nA SD5491 Series Silicon Phototransistor, TO-18 Metal Can Honeywell 红外 光电晶体管 , 12 °半感光角度, TO-18 封装 PHOTOTRANSISTOR 24° TO18 4-8 MA |
| 分类 |
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商业参数
| 产品 | Phototransistors | 交货时间 | 84 Days |
| 子类别 | Phototransistor | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | 1 | 标准封装名称 | TO-206-AA |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | 无铅定义 | RoHS-conform |
电气参数
| 电流 | 4.0 mA | 响应类型 | 12° |
| 下降时间 | 2 us | 波长 | 880 nm |
| 最大功率 | 150mW | 额定功率 | 150 mW |
| 感应角度 | 12 | 感应范围 | 150 nm |
| 视角 | 12° | 光谱范围 | 红外 |
| 上升时间（典型） | 2 us | 晶体管类型 | Phototransistor |
| 供电电压 | 30 V | 峰值波长 | 880nm |
| 通道数量 | 1 | Vgs(th)（最大）@ Id | 100nA |
| 暗电流（最大） | 100 | 暗电流（典型值） | 100 nA |
| 最大额定电流 | 8.0 mA | Vce饱和电压（最大） | 0.4 V |
| 最小输入电压 | 30 | 上升/下降时间（典型） | 2.0 µs |
| 最大功耗 | 150 mW | 暗电流 Id（最大） | 100nA |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 2us | Vce饱和电压（最大）@ Ib, Ic | 5 V |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4mA | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 2000(Typ) |
| 传播延迟 tpLH / tpHL（最大） | 2µs | ||
机械参数
| 长度 | 17.77mm | 直径 | 4.06mm |
| 包装方式 | BULK | 引脚样式 | Through Hole |
| 方向 | Top View | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-18 | 冷却的封装 | T0-18, Dome Lensed |
| 透镜样式/尺寸 | 12° | 总长度 | 0.5in.(Min.) |
| 包装数量 | TO-18 | 尺寸/外形 | 0.2in.Hx0.212in.Dia. |
| 外径 | 0.017in. | 触点数 | 3 |
| 位数 | 3 | ||
产品信息
| 备注 | The radiation source is a tungsten lamp operating at a color temperature of 2870°K. | 类型 | Photodetector Transistors |
| 系列 | Phototransistor | 极性 | NPN |
| 产品子类型 | IR Component | 其他规格 | THT |
| 输出配置 | Through Hole | ||
环境参数
| 工作温度 | + 125 C | 最高温度限值 | 125 °C |
| 结工作温度 | 125°C | ||