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SD5443-002
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors Silicon PhotoTrans TO-46 Mtl/Gls LnsdPk Phototransistor IR Chip Silicon 3-Pin TO-46 PHOTOTRANSISTOR 18DEG, >4MA Sensors, Infrared Sensors, Emitter SENSOR PHOTOTRANSISTOR NPN TO-46 Honeywell SD5443-002 18° Phototransistor, Through-hole TO-46 Package SENSOR,SILICONPHOTOTRANSISTOR,METAL SD5443 Series Silicon Phototransistor, TO-46 Metal, Glass Lensed Can |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 100 | 产品 | Phototransistors |
| 交货时间 | 33 Days | 单位包装 | 100 |
| 子类别 | Phototransistor | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | 1 | 标准封装名称 | TO-206-AB |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | ||
电气参数
| 电流 | 4.0 mA | 下降时间 | 15 us |
| 波长 | 880 nm | 最大功率 | 150mW |
| 灵敏度 | 880nm | 额定功率 | 150 mW |
| 感应角度 | 18 | 感应范围 | 150nm |
| 视角 | 5° | 上升时间（典型） | 15 us |
| 晶体管类型 | Phototransistor | 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 | 暗电流（最大） | 100 |
| 暗电流（典型值） | 100 nA | 最大额定电流 | 4000(Min) |
| Vce饱和电压（最大） | 0.4 V | 最小输入电压 | 30 |
| 上升/下降时间（典型） | 15ns | 最大功耗 | 150 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30V | 暗电流 Id（最大） | 4nA |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4mA | 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 15000(Typ) |
机械参数
| 包装方式 | INDIVIDUAL | 引脚样式 | Through Hole |
| 方向 | Top View | 安装类型 | Through Hole |
| 封装形式 | TO-46 | 包装数量 | TO-46 |
| 位数 | 3 | ||
产品信息
| 类型 | Photodetector Transistors | 系列 | Phototransistor |
| 极性 | NPN | 匹配码 | SD5443-002 |
| 产品子类型 | IR Component | 标准交期 | 11 weeks |
| 其他规格 | THT | ||
环境参数
| 工作温度 | + 125 C | ||