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SD2440-004
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors Silicon PhotoTrans Pill Styl Mtl Cn Pkg Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin Metal Can PHOTOTRANSISTOR 48DEG, PILLPACK Sensors, Infrared Sensors, Emitter PHOTOTRANSISTOR NPN PILL PACK Phototransistor IR Chip Silicon 2-Pin Metal Can Product Highlights:Miniature, hermetically sealed, pill style, metal can package48 ° (nominal) acceptance angleWide operating temperature range [-55 °C to 125 °C]Ideal for direct mounting to printed circuit boardsWide sensitivity rangesMechanically and spectrally matched to SE2460 and SE2470 infrared emitting diodes Detector,Phototransistor;PillStyleMetalCan;NPN;48deg;30V;0.4V;100 SD2440 Series Silicon Phototransistor, Miniature Hermetically Sealed, Pill Style Metal Can |
| 分类 |
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商业参数
| 最小起订量 | 100 | 产品 | Phototransistors |
| 交货时间 | 21 Days | 单位包装 | 100 |
| 子类别 | Phototransistor | 产品类别 | Phototransistors |
| 标准包装数量 | 1 | 标准封装名称 | TO-99 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | 欧盟RoHS | Compliant |
| 汽车级 | NO | ||
电气参数
| 电流 | 7.0 mA | 响应类型 | 48° |
| 下降时间 | 15 us | 波长 | 880 nm |
| 最大功率 | 125mW | 额定功率 | 125 mW |
| 感应角度 | 48 | 感应范围 | 125nm |
| 视角 | 5° | 上升时间（典型） | 15 us |
| 晶体管类型 | Phototransistor | 供电电压 | 30 V |
| 通道数量 | 1 | 暗电流（最大） | 100 |
| 暗电流（典型值） | 100 nA | 最大额定电流 | 7000(Min) |
| Vce饱和电压（最大） | 0.4 V | 最小输入电压 | 30 |
| 上升/下降时间（典型） | 15ns | 最大功耗 | 125 mW |
| 集电极-发射极饱和电压（最大）@ Vge, Ic | 30V | 暗电流 Id（最大） | 7nA |
| 开关时间（Ton, Toff）（最大） | 15us | 集电极电流（Ic）（最大） | 7mA |
| 最大传播延迟 @ V, 最大CL | 15000(Typ) | ||
机械参数
| 包装方式 | BULK | 头部样式 | Yes |
| 方向 | Top View | 安装类型 | Surface Mount |
| 封装形式 | Metal Can | 包装数量 | Metal Can |
| 尺寸/外形 | 0.085in.H | 位数 | 2 |
产品信息
| 类型 | Photodetector Transistors | 系列 | Phototransistor |
| 极性 | NPN | 匹配码 | SD2440-004 |
| 产品子类型 | IR Component | 标准交期 | 11 weeks |
| 其他规格 | THT | ||
环境参数
| 工作温度 | + 125 C | 结工作温度 | 125°C |