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PT5529B/L1/H3
| 制造商 | |
| 描述 | Phototransistors Dual Phototransistor |
| 分类 |
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商业参数
| 产品类别 | Phototransistors | 工厂包装数量 | 500 |
合规参数
| RoHS | RoHS Compliant | ||
电气参数
| 下降时间 | 15 us | 上升时间(典型) | 15 us |
| 供电电压 | 30 V | 暗电流(最大) | 100 nA |
| 最大功耗 | 100 mW | 集电极截止电流(最大) | 20 mA |
机械参数
| 包装方式 | Bulk | ||
产品信息
| 类型 | Chip | ||
环境参数
| 工作温度 | + 85 C | ||
