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PT5529B/L1/H3

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PT5529B/L1/H3

制造商
描述
Phototransistors Dual Phototransistor
分类
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商业参数

产品类别Phototransistors工厂包装数量500

合规参数

RoHSRoHS Compliant

电气参数

下降时间15 us上升时间(典型)15 us
供电电压30 V暗电流(最大)100 nA
最大功耗100 mW集电极截止电流(最大)20 mA

机械参数

包装方式Bulk

产品信息

类型Chip

环境参数

工作温度+ 85 C