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VP0106 MOSFET 系列

MOSFET 60V 8Ω

Microchip Technology Inc. 的VP0106系列产品包含一系列适用于各种低功耗开关应用的MOSFET。这些MOSFET在60V下工作,电阻为8欧姆,适用于电源调节、电池管理以及其他需要精确电压控制的电路。

工程师们在需要可靠低电流开关的应用中倾向于使用这些MOSFET。例如,在便携式电子产品中,如智能手机或可穿戴设备,VP0106系列产品通过切换小电流来有效地管理电力。它们还常用于LED驱动器,因为在LED驱动器中能够处理60V并在相对较低的电流(最高250mA)下进行切换至关重要。

一个实际观察是,这些MOSFET特别适用于热管理至关重要的但散热要求不高的应用。其8欧姆的电阻意味着它们产生的热量比高阻抗MOSFET少,因此在需要热管理的环境中更加高效。此外,它们紧凑的TO-92封装非常适合空间受限的设计,允许轻松集成到PCB布局中而不影响性能。

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
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VP0106 MOSFET - 型号列表

17 个型号

导通电阻(最大)

最大栅源电压 Vgs

集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic

安装类型

类型

工作温度

工厂包装数量

上升时间(典型)

连续漏极电流(Id)@ 25°C

包装方式

封装形式

制造商零件编号库存价格产品类别最大栅源电压 Vgs集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic导通电阻(最大)通道类型工作温度工厂包装数量RoHS下降时间上升时间(典型)晶体管类型首抽头延迟通道数量平均正向功率开关时间(Ton, Toff)(最大)连续漏极电流(Id)@ 25°C包装方式安装样式封装形式技术制造商全称配置产品安装类型类型抗辐射加固额定功率元件数量漏极电流(Idss)@ Vds(Vgs=0)冷却的封装位数极性标准包装数量FET类型FET特性最大功率Vgs(th)(最大)@ Id导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs漏源电压(Vdss)输入电容(Ciss)(最大)@ Vds宽度高度长度供应商器件封装
VP0106N3-P013-G

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3-P014-G

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3-P002-G

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3-P003-G

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3-P003

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3-P013

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3-P014

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3-P002

MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology Inc.

0--------------------------------------------
VP0106N3G

Trans MOSFET P-CH 60V 0.25A 3-Pin TO-92

Microchip Technology Inc.

0-�20 V60 V8 ohmEnhancement-55C to 150C-----------------Through HolePower MOSFETNo0.74 W10.25 ATO-923P------------
VP0106N3-G

MOSFET P-CH 60V 250MA 3TO-92 MOSFET 60V 8Ohm

Microchip Technology

550100: ¥5.3312-20 V- 60 V8 OhmsEnhancement+ 150 C1000RoHS Compliant4 ns5 nsP-Channel8 ns1 Channel1 W4 ns250mA (Tj)*Through Hole*SiMicrochip TechnologySingle-*FET-------1,000MOSFET P-Channel, Metal OxideStandard1W3.5V @ 1mA8 Ohm @ 500mA, 10V60V60pF @ 25V4.19 mm5.33 mm5.21 mm*
VP0106N3-G P013

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Microchip Technology

0-20 V- 60 V15 OhmsEnhancement+ 150 C2000RoHS Compliant4 ns3 nsP-Channel8 ns1 Channel1 W4 ns- 250 mAReelThrough HoleTO-92-3SiMicrochip TechnologySingleMOSFET Small Signal---------------------
VP0106N3-G P014

Microchip Technology

0--------------------------------------------
VP0106N3-G P005

Microchip Technology

0--------------------------------------------
VP0106N3-G P003

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Microchip Technology

0-20 V- 60 V15 OhmsEnhancement+ 150 C2000RoHS Compliant4 ns3 nsP-Channel8 ns1 Channel1 W4 ns- 250 mAReelThrough HoleTO-92-3SiMicrochip TechnologySingleMOSFET Small Signal---------------------
VP0106N3-G P002

MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET

Microchip Technology

0-20 V- 60 V15 OhmsEnhancement+ 150 C2000RoHS Compliant4 ns3 nsP-Channel8 ns1 Channel1 W4 ns- 250 mAReelThrough HoleTO-92-3SiMicrochip TechnologySingleMOSFET Small Signal---------------------
VP0106N3

MICROCHIP TECH.

700140: ¥3.3184--------------------------------------------
VP0106N6

Microchip Technology Inc.

118: ¥4.59--------------------------------------------
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