TN2124 FETs - Single 系列
MOSFET 240V 15Ω 转移MOSFET N沟道 240V 0.134A 3脚SOT-23
Microchip Technology Inc. 的 TN2124 系列是一款单封装MOSFET,适用于需要高电压和中等电流处理能力的低功耗应用。这些晶体管可工作至240V,并能连续承载0.134A的漏极电流,使其非常适合电源调节、开关电路和电池管理系统项目。
如果您正在开发需要紧凑解决方案的低功耗应用项目,这些MOSFET是不错的选择。它们的小巧3引脚SOT-23封装确保了最小的板载空间占用,在便携设备或具有严格设计限制的PCB上尤其有价值。值得注意的是,它们相对较低的导通电阻为15欧姆,有助于减少功率损耗并提高电路的整体效率。
当工程师们需要一种可靠且低成本的开关应用解决方案时,往往会选择这个系列,尤其是那些不需要大尺寸MOSFET的高电流处理能力的应用。它们还常用于降压转换器、电荷泵和其他低压、低电流电源管理电路中。TN2124系列在性能和成本之间提供了良好的平衡,因此在各种电子设计中非常受欢迎。
常见问答
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TN2124 FETs - Single - 型号列表
共 2 个型号| 制造商零件编号 | 库存 | 价格 | 产品类别 | 最大栅源电压 Vgs | 导通电阻(最大) | 通道类型 | 工作温度 | 标准封装名称 | 欧盟RoHS | 元件数量 | 击穿电压 | 最大功耗 | 峰值脉冲电流(10/1000µs) | 引脚样式 | 包装数量 | 位数 | 产品 | 标准包装数量 | 工厂包装数量 | RoHS | FET类型 | 下降时间 | FET特性 | 最大功率 | 上升时间(典型) | 晶体管类型 | 首抽头延迟 | 通道数量 | Vgs(th)(最大)@ Id | 导通电阻 Rds(on) (最大) @ Id, Vgs | 平均正向功率 | 集电极-发射极饱和电压(最大)@ Vge, Ic | 开关时间(Ton, Toff)(最大) | 漏源电压(Vdss) | 输入电容(Ciss)(最大)@ Vds | 连续漏极电流(Id)@ 25°C | 宽度 | 高度 | 长度 | 包装方式 | 安装类型 | 安装样式 | 封装形式 | 供应商器件封装 | 类型 | 技术 | 制造商全称 | 配置 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0 | - | ±20 | 15000@4.5V | Enhancement | 150 | SOT-23 | Not Compliant | 1 | 240 | 360 | 0.134 | Gull-wing | SOT-23 | 3 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||
MOSFET N-CH 240V 134MA 3SOT-23 MOSFET N-CH 240V 134MA SOT23-3 MOSFET 240V 15Ohm Microchip Technology | 2825 | 4: ¥5.1966 | - | 2V @ 1mA | 15 Ohms | Enhancement | + 150 C | - | - | - | - | - | - | - | - | - | MOSFET Small Signal | 3,000 | 3000 | RoHS Compliant | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | 2 ns | Logic Level Gate | 360mW | 2 ns | N-Channel | 7 ns | 1 Channel | 2V @ 1mA | 15 Ohm @ 120mA, 4.5V | 360 mW | 240 V | 4 ns | 240V | 50pF @ 25V | 134mA (Tj) | 1.3 mm | 0.95 mm | 2.9 mm | * | * | SMD/SMT | * | * | FET | Si | Microchip Technology | Single |
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Microchip Technology Inc.