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1N5611 TVS 系列

二极管 TVS 单向 40.3V 1.5KW 2 脚封装 G

Microchip Technology 的 1N5611 TVS 二极管系列设计用于电子电路中的瞬态电压抑制。这些器件为单向导通,击穿电压为 40.3V,适用于防止过压条件对敏感组件造成损害。它们的最大功率耗散能力为 1.5kW,对于其尺寸而言非常出色,可以安装在双引脚封装中。

工程师们在需要对电源供应、通信电路和其他电子系统中的瞬态现象提供强大保护时,往往会选用这些 TVS 二极管。例如,如果你正在处理可能会出现尖峰或浪涌的电源供应,这些二极管可以帮助防止下游组件受损。一个实际观察到的情况是,它们经常与稳压二极管一起使用,以实现更全面的保护方案。另一个有用的方面是其可靠性;即使在恶劣条件下也能提供一致的性能,使其成为汽车和工业应用中的首选,尤其是在可靠性至关重要的场合。

如果你希望在不显著影响电路的情况下增加对电压尖峰的保护,1N5611 系列是一个不错的选择。它们在性能和成本之间提供了良好的平衡,使其适用于各种项目。

常见问答

内容由 AI 生成,仅供参考
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1N5611 TVS - 型号列表

2 个型号

峰值脉冲电流(8/20µs)

制造商零件编号库存价格产品类别标准包装数量输出电流峰值脉冲功率钳位电压击穿电压最小输入电压峰值脉冲电流(8/20µs)反向漏电流 @ Vr安装类型封装形式配置端口方向工作温度
1N5611JAN

Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G

Microchip Technology Inc.

0-Bulk1 mA1500 W63.5 V43.7 V40.3 V136 A5 uAThrough Hole2Case GSingleUni-Directional-55 to 175 °C
1N5611JANTXV

Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G

Microchip Technology Inc.

0-Bulk1 mA1500 W63.5 V43.7 V40.3 V24 A5 uAThrough Hole2Case GSingleUni-Directional-55 to 175 °C
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